低温退火（Lowtemperature annealing）是指在相对较低的温度下进行的退火处理，通常温度范围为200°℃~400℃。低温退火的主要作用是通过晶界扩散、空位扩散等方式改变材料的组织结构，达到以下效果：
1.消除组织缺陷：低温退火可以消除材料中晶界、位错等组织缺陷，从而使材料的晶界结构更加稳定，提高其断裂强度和韧性。
2.提高晶体结构的稳定性：低温退火可以使晶体结构重新排列，从而使晶体间距更加均匀，晶体结构更加稳定，提高材料的抗拉强度和硬度。联系电话：19921272900
3.改善材料的电学性能：低温退火可以改善材料的导电性能，提高其超导性能，适用于一些需要高导电性能的电子器件。
1.晶界结构的改善：低温退火可以消除电解铜箔中晶界的一些缺陷，如晶界错配、晶界滑移等，使晶界结构更加稳定。同时，低温退火还可以使晶界之间的距离更加均匀，从而减小晶界面积，提高电解铜箔的抗拉强度和韧性。
2.晶粒尺寸的控制：低温退火可以控制电解铜箔的晶粒尺寸，使其更加均匀。具体来说，低温退火可以使晶粒的初始尺寸变大，然后经过再结晶的过程，晶粒又变得更加小而均匀。这样可以减小电解铜箔的内部应力，提高材料的强度和韧性。上海源聚兴机电
3.提高韧性：低温退火可以使电解铜箔中的位错密度减小，从而减少位错引起的缺陷，如滑移带和裂纹等，从而提高电解铜箔的韧性。
电解铜箔低温退火是一种有效改善电解铜箔组织和性能的加工工艺。通过控制低温退火的温度和时间参数，可以使电解铜箔中的晶界结构更加稳定，晶粒尺寸更加均匀，位错密度减小，从而提高电解铜箔的抗拉强度、硬度和韧性。此外，低温退火还有助于提高电解铜箔的导电性能，适用于一些需要高导电性能的电子器件。
